In den letzten vier Jahrzehnten hat die Entwicklung der Mikroelektronikindustrie den Trend zur Herstellung ultradünner (mit nanometrischer Mikrostruktur) und ultrareiner (ohne Verunreinigungen oder Defekte) Materialien gesetzt, die eine Steigerung der funktionellen Effizienz ihrer Teile bei kleinstmöglichem Volumen garantieren. Das übergeordnete Ziel dieser Arbeit war die Synthese (Abscheidung und Glühen) ferroelektrischer Bleititanat-Schichten (PT), die auf einem Pt/Ti/SiO2/Si Substrat abgeschieden wurden. Aus den oben genannten Gründen wurde die CVD-AA-Methode verwendet. Im Allgemeinen ist bei dieser Art von Filmen das Tempern ein notwendiger Schritt, um die gewünschte (ferroelektrische) Perowskitphase zu erhalten. Die Arbeit umfasst die entsprechende thermogravimetrische Analyse sowie die kristallographische und mikrostrukturelle Charakterisierung. Zu den Ergebnissen gehört, dass die Filme eine gute chemische und strukturelle Homogenität auf mikrometrischer Ebene aufweisen, dass die in den Filmen vorhandenen Phasen den gewünschten Phasen entsprechen und dass ferroelektrische Domänen beobachtet wurden.